Raytheon e Globalfoundries annunciano la collaborazione con il GaN 5G

Raytheon Technologies e Globalfoundries (GF) collaboreranno allo sviluppo e alla commercializzazione di un nuovo nitruro di gallio su silicio (GaN-on-Si) Semiconduttore.

Secondo le due società questa è una novità semiconduttore fornirà prestazioni in radiofrequenza “rivoluzionarie” per le applicazioni 5G e 6G.

Raytheon Technologies concederà in licenza il suo nitruro di gallio brevettato su silicio la tecnologia e competenze tecniche a GF, che svilupperà il nuovo semiconduttore presso il suo stabilimento Fab 9 a Burlington, nel Vermont.

Il nitruro di gallio è un materiale unico utilizzato per costruire semiconduttori ad alte prestazioni in grado di gestire livelli significativi di calore e potenza rendendoli adatti alla gestione di segnali wireless 5G e 6G, che richiedono livelli di prestazioni più elevati rispetto ai sistemi wireless legacy.

In combinazione con le capacità di produzione e assistenza di GF in RF, test e confezionamento, la nuova offerta GaN aumenterà le prestazioni RF mantenendo i costi di produzione e operativi e, secondo Globalfoundries, consentirà ai clienti di raggiungere nuovi livelli di potenza ed efficienza aggiuntiva per soddisfare gli standard in evoluzione della frequenza operativa con onde mm 5G e 6G RF.

Questa collaborazione è l'ultima di numerose partnership strategiche annunciate da GF e viene vista come un altro esempio degli sforzi dell'azienda per fornire soluzioni differenziate in un momento in cui il resto del settore sta perseguendo un ridimensionamento tecnologico più tradizionale e sempre più difficile.