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SKM200GB063D no recomendado para nuevas características de diseño:
.N canal, estructura homogénea de silicio (NPT - Non punch-through) IGBT)
.Baja corriente de cola con dependencia de baja temperatura.
.Alto corto circuito capacidad, autolimitante si es a término. G está sujeto a E
.Pos. temp.-coeff. de V CEsat
.50% menos de pérdidas de apagado
.30% menos corriente de cortocircuito
.Muy bajo C ies, C oes, C res
Diodos CAL inversos rápidos y suaves sin enganche
.Placa de base de cobre aislado con unión directa de cobre DCB la tecnología sin molde duro
.Gran espacio libre (13 mm) y distancias de fuga (20 mm)
Aplicaciones típicas:
.Cambio (no apto para uso doméstico)
.Fuentes de alimentación de modo conmutado
Servoaccionamientos inverter .AC
.UPS fuentes de alimentación ininterrumpidas
.Inversores de soldadura