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SKM200GB063D는 새로운 디자인에 권장되지 않습니다. 특징 :
.N 채널, 균질한 실리콘 구조(NPT – Non-punch-through IGBT)
. 낮은 온도 의존성을 가진 낮은 테일 전류
. 하이 쇼트 회로 기능, 기간 인 경우 자체 제한. G는 E에 고정됩니다.
.Pos. 온도 계수. V CEsat의
.50 % 더 적은 턴 오프 손실
.30 % 더 적은 단락 전류
. 매우 낮은 C ies, C oes, C res
. 래치 업없는 고속 및 소프트 역 CAL 다이오드
.DCB Direct Copper Bonding을 사용하는 절연 된 구리베이스 플레이트 technology 딱딱한 곰팡이없이
. 큰 간격 (13mm) 및 연면 거리 (20mm)
일반적인 응용 프로그램 :
.Switching (거짓말 사용 불가)
.Switched 모드 전원 공급 장치
.AC 인버터 서보 드라이브
.UPS 무정전 전원 공급 장치
. 용접 인버터
최대 등급 및 특성
. 절대 최대 정격 (지정되지 않은 경우 Tc = 25 ° C)
콜렉터-이미 터 전압 Vces : 600V
게이트 이미 터 전압 VGES : ± 20V
수집기 전류 IC: 200A
콜렉터 전류 Icp : 450A
수집기 전력 흩어지기 Pc : 875W
Collector-Emitter 전압 VCES : 2500V
작동 접합 온도 Tj : + 150 ° C
보관 온도 Tstg : -40 ~ + 125 ° C
전력 IGBT 트랜지스터