#SKM200GB063D Semikron SKM200GB063D Nouvelle puissance IGBT Transistor , images SKM200GB063D, prix SKM200GB063D, fournisseur #SKM200GB063D
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
SKM200GB063D non recommandé pour les nouvelles fonctionnalités de conception:
Canal .N, structure silicone homogène (NPT – Non punch-through IGBT)
Courant de queue faible avec dépendance à basse température
.Haut court circuit capacité, autolimitation si terme. G est serré sur E
.Pos. temp.-coeff. de V CEsat
.50% moins de pertes de désactivation
.30% de courant de court-circuit en moins
.Très bas C ies, C oes, C res
.Diodes CAL inverses rapides et douces sans verrouillage
.Plateau de base en cuivre isolé utilisant la liaison directe au cuivre DCB sans souci sans moule dur
Grand dégagement (13 mm) et lignes de fuite (20 mm)
Applications typiques:
.Switching (pas pour l'usage des menteurs)
.Alimentations en mode commuté
Servo variateurs .AC Inverter
Alimentations sans interruption .UPS
Onduleurs de soudage