Uniéndose a MasterGaN1, MasterGaN2 y MasterGaN4, que apuntan a aplicaciones de 65W a 400W, las adiciones brindan flexibilidad adicional para elegir el dispositivo GaN óptimo y la solución de controlador al diseñar fuentes de alimentación de modo conmutado, cargadores, adaptadores,voltaje Corrección del factor de potencia (PFC) y convertidores CC / CC.
El concepto MasterGaN de ST simplifica la migración desde el silicio ordinario mosfets a la tecnología de potencia de banda ancha de GaN.
Los dispositivos integran dos transistores de potencia de 650 V con controladores de puerta de alto voltaje optimizados y circuitos de seguridad y protección asociados, eliminando el controlador de puerta y circuito-Desafíos de diseño de maquetación.
Combinados con las frecuencias de conmutación más altas posibles con los transistores de GaN, estos dispositivos integrados permiten fuentes de alimentación que son hasta un 80% más pequeñas que los diseños basados en silicio, así como extremadamente robustas y confiables.
Los transistores de potencia GaN de los dispositivos MasterGaN3 tienen una resistencia de encendido asimétrica (Rds (encendido)) de 225 mΩ y 450 mΩ, lo que hace que estos dispositivos sean adecuados para convertidores de rectificación activa y conmutación suave.
En MasterGaN5, ambos transistores tienen 450 mΩ Rds (encendido) para su uso en topologías como LLC-resonante y Active Clamp Flyback.
Al igual que otros miembros de la familia MasterGaN, ambos dispositivos tienen entradas compatibles con señales lógicas de 3.3V a 15V, lo que simplifica la conexión de un DSP, FPGA o microcontrolador host, y dispositivos externos como sensores Hall.
También integran protección que incluye bloqueo por subvoltaje de lado bajo y lado alto (UVLO), enclavamientos de controlador de puerta, protección contra sobrecalentamiento y un pin de apagado.
Cada dispositivo MasterGaN es compatible con una placa prototipo dedicada para ayudar a los diseñadores a poner en marcha nuevos proyectos de suministro de energía.
Las placas EVALMASTERGAN3 y EVALMASTERGAN5 contienen circuitos para generar señales de conducción de un solo extremo o complementarias.
Hay un generador de tiempo muerto ajustable, así como conexiones para que el usuario aplique una señal de entrada separada o señal PWM, agregue un diodo de arranque externo para ayudar con cargas capacitivas e inserte una derivación de lado bajo Resistencia para topologías de modo de corriente de pico.
Alojado en un paquete GQFN de 9 mm x 9 mm optimizado para aplicaciones de alto voltaje con una distancia de fuga de 2 mm entre los pads de alto y bajo voltaje, MasterGaN3 y MasterGaN5 están en producción ahora, con un precio de $ 6.08 para MasterGaN3 y $ 5.77 para MasterGaN5, para pedidos de 1000 piezas.
Para obtener más información, visite www.st.com/mastergan.