Rejoignant le MasterGaN1, le MasterGaN2 et le MasterGaN4, qui ciblent les applications de 65 W à 400 W, les ajouts offrent une flexibilité supplémentaire pour choisir le périphérique GaN optimal et la solution de pilote lors de la conception d'alimentations à découpage, de chargeurs, d'adaptateurs,Tension Correction du facteur de puissance (PFC) et convertisseurs DC/DC.
Le concept MasterGaN de ST simplifie la migration à partir du silicium ordinaire mosfet à la technologie d'alimentation à large bande interdite GaN.
Les dispositifs intègrent deux transistors de puissance 650 V avec des pilotes de grille haute tension optimisés et des circuits de sécurité et de protection associés, éliminant ainsi les pilotes de grille et circuit-les défis de conception de la mise en page.
Combinés aux fréquences de commutation plus élevées possibles avec les transistors GaN, ces dispositifs intégrés permettent des alimentations jusqu'à 80 % plus petites que les conceptions à base de silicium ainsi qu'extrêmement robustes et fiables.
Les transistors de puissance GaN des dispositifs MasterGaN3 ont une résistance passante asymétrique (Rds(on)) de 225 mΩ et 450 mΩ, ce qui rend ces dispositifs adaptés aux convertisseurs à commutation douce et à redressement actif.
Dans MasterGaN5, les deux transistors ont 450mΩ Rds(on) pour une utilisation dans des topologies telles que la résonance LLC et Active Clamp Flyback.
En commun avec d'autres membres de la famille MasterGaN, les deux appareils ont des entrées compatibles avec des signaux logiques de 3.3 V à 15 V, ce qui simplifie la connexion d'un DSP hôte, FPGA ou microcontrôleur, et des appareils externes tels que des capteurs à effet Hall.
Ils intègrent également une protection comprenant un verrouillage de sous-tension (UVLO) côté bas et côté haut, des verrouillages de commande de porte, une protection contre la surchauffe et une broche d'arrêt.
Chaque appareil MasterGaN est pris en charge avec une carte prototype dédiée pour aider les concepteurs à démarrer de nouveaux projets d'alimentation électrique.
Les cartes EVALMASTERGAN3 et EVALMASTERGAN5 contiennent des circuits pour générer des signaux de pilotage asymétriques ou complémentaires.
Il existe un générateur de temps mort réglable, ainsi que des connexions permettant à l'utilisateur d'appliquer un signal d'entrée ou un signal PWM séparé, d'ajouter une diode d'amorçage externe pour aider avec les charges capacitives et d'insérer un shunt côté bas Resistor pour les topologies en mode courant de crête.
Logés dans un boîtier GQFN de 9 mm x 9 mm optimisé pour les applications haute tension avec une ligne de fuite de 2 mm entre les pastilles haute tension et basse tension, MasterGaN3 et MasterGaN5 sont actuellement en production, au prix de 6.08 $ pour MasterGaN3 et 5.77 $ pour MasterGaN5, pour des commandes de 1000 pièces.
Pour plus d'informations, rendez-vous sur www.st.com/mastergan.