Bergabung dengan MasterGaN1, MasterGaN2, dan MasterGaN4, yang menargetkan aplikasi dari 65W hingga 400W, tambahan tersebut memberikan fleksibilitas ekstra untuk memilih perangkat GaN yang optimal dan solusi driver saat merancang catu daya mode aktif, pengisi daya, adaptor,tegangan Koreksi Faktor Daya (PFC), dan konverter DC/DC.
Konsep MasterGaN ST menyederhanakan migrasi dari silikon biasa MOSFET ke teknologi daya celah pita lebar GaN.
Perangkat mengintegrasikan dua transistor daya 650V dengan driver gerbang tegangan tinggi yang dioptimalkan dan sirkuit keselamatan dan perlindungan terkait, menghilangkan driver gerbang dan sirkittantangan desain -layout.
Dikombinasikan dengan frekuensi switching yang lebih tinggi yang dimungkinkan dengan transistor GaN, perangkat terintegrasi ini memungkinkan catu daya yang hingga 80% lebih kecil dari desain berbasis silikon serta sangat kuat dan andal.
Transistor daya GaN perangkat MasterGaN3 memiliki resistansi-on (Rds(on)) asimetris sebesar 225mΩ dan 450mΩ, membuat perangkat ini cocok untuk konverter soft-switching dan rektifikasi aktif.
Dalam MasterGaN5 kedua transistor memiliki 450mΩ Rds(on) untuk digunakan dalam topologi seperti LLC-resonan dan Active Clamp Flyback.
Secara umum dengan anggota keluarga MasterGaN lainnya, kedua perangkat memiliki input yang kompatibel dengan sinyal logika dari 3.3V hingga 15V, yang menyederhanakan koneksi host DSP, FPGA, atau mikrokontroler, dan perangkat eksternal seperti sensor Hall.
Mereka juga mengintegrasikan perlindungan termasuk low-side dan high-side undervoltage lockout (UVLO), interlock gate-driver, perlindungan over-temperatur, dan pin shutdown.
Setiap perangkat MasterGaN didukung dengan papan prototipe khusus untuk membantu desainer memulai proyek catu daya baru.
Papan EVALMASTERGAN3 dan EVALMASTERGAN5 berisi sirkuit untuk menghasilkan sinyal penggerak ujung tunggal atau pelengkap.
Ada generator waktu mati yang dapat disesuaikan, serta koneksi bagi pengguna untuk menerapkan sinyal input atau sinyal PWM terpisah, menambahkan dioda bootstrap eksternal untuk membantu beban kapasitif, dan memasukkan shunt sisi rendah Penghambat untuk topologi mode arus puncak.
Bertempat dalam paket GQFN 9mm x 9mm yang dioptimalkan untuk aplikasi tegangan tinggi dengan jarak rambat 2mm antara bantalan tegangan tinggi dan tegangan rendah, MasterGaN3 dan MasterGaN5 sekarang sedang diproduksi, dengan harga mulai $6.08 untuk MasterGaN3 dan $5.77 untuk MasterGaN5, untuk pesanan 1000 bagian-bagian.
Untuk informasi lebih lanjut, kunjungi www.st.com/mastergan.