Cùng với MasterGaN1, MasterGaN2 và MasterGaN4, nhắm mục tiêu các ứng dụng từ 65W đến 400W, các bổ sung mang lại sự linh hoạt hơn để chọn thiết bị GaN và giải pháp trình điều khiển tối ưu khi thiết kế bộ nguồn, bộ sạc, bộ điều hợp chế độ chuyển mạch,Vôn Hiệu chỉnh hệ số công suất (PFC) và bộ chuyển đổi DC / DC.
Khái niệm MasterGaN của ST đơn giản hóa việc di chuyển từ silicon thông thường mosfet sang công nghệ năng lượng băng tần rộng GaN.
Các thiết bị tích hợp hai bóng bán dẫn nguồn 650V với trình điều khiển cổng điện áp cao được tối ưu hóa và mạch bảo vệ và an toàn liên quan, loại bỏ trình điều khiển cổng và mạchthách thức thiết kế -layout.
Kết hợp với tần số chuyển mạch cao hơn có thể với bóng bán dẫn GaN, các thiết bị tích hợp này cho phép cung cấp nguồn điện nhỏ hơn đến 80% so với thiết kế dựa trên silicon cũng như cực kỳ mạnh mẽ và đáng tin cậy.
Các bóng bán dẫn nguồn GaN của các thiết bị MasterGaN3 có điện trở (Rds (on)) không đối xứng là 225mΩ và 450mΩ, làm cho các thiết bị này phù hợp với các bộ chuyển đổi chuyển mạch mềm và chỉnh lưu tích cực.
Trong MasterGaN5, cả hai bóng bán dẫn đều có Rds 450mΩ (bật) để sử dụng trong các cấu trúc liên kết như LLC-cộng hưởng và Active Clamp Flyback.
Điểm chung với các thành viên khác trong gia đình MasterGaN, cả hai thiết bị đều có đầu vào tương thích với tín hiệu logic từ 3.3V đến 15V, giúp đơn giản hóa kết nối của máy chủ DSP, FPGA hoặc vi điều khiển và các thiết bị bên ngoài như cảm biến Hall.
Chúng cũng tích hợp tính năng bảo vệ bao gồm khóa điện áp bên thấp và bên cao (UVLO), khóa liên động trình điều khiển cổng, bảo vệ quá nhiệt và chốt tắt máy.
Mỗi thiết bị MasterGaN được hỗ trợ một bảng nguyên mẫu chuyên dụng để giúp các nhà thiết kế bắt đầu các dự án cung cấp điện mới.
Các bo mạch EVALMASTERGAN3 và EVALMASTERGAN5 chứa mạch để tạo ra các tín hiệu điều khiển một đầu hoặc bổ sung.
Có một bộ tạo thời gian chết có thể điều chỉnh, cũng như các kết nối để người dùng áp dụng tín hiệu đầu vào riêng biệt hoặc tín hiệu PWM, thêm một diode bootstrap bên ngoài để trợ giúp tải điện dung và chèn một shunt bên thấp Điện trở cho các cấu trúc liên kết chế độ dòng điện cao điểm.
Nằm trong gói GQFN 9mm x 9mm được tối ưu hóa cho các ứng dụng điện áp cao với khoảng cách lan truyền 2mm giữa các miếng đệm điện áp cao và điện áp thấp, MasterGaN3 và MasterGaN5 hiện đang được sản xuất, có giá từ $ 6.08 cho MasterGaN3 và $ 5.77 cho MasterGaN5, cho đơn đặt hàng 1000 miếng.
Để biết thêm thông tin, hãy truy cập www.st.com/mastergan.