#STP140NF55 ST STP140NF55 Nuevo N-CANAL 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 STRIPFET II mosfet, Imágenes STP140NF55, precio STP140NF55, proveedor # STP140NF55
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/stp140nf55.html
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Número de pieza del fabricante: STP140NF55
Nombre de la marca: STMicroelectronics
Código de ciclo de vida de la pieza: no recomendado
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Código del paquete de piezas: TO-220AB
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Recuento de pines: 3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 7.72
Clasificación energética de avalancha (Eas): 1300 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 55 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 80 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 80 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.008 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Código JESD-609: e3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 300 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 320 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: NO
Acabado terminal: estaño mate (Sn)
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
CANAL N 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 STRIPFET II mosfet
Nombre de la marca: STMicroelectronics
Código de ciclo de vida de la pieza: no recomendado
Fabricante IHS: STMICROELECTRONICS
Código del paquete de piezas: TO-220AB
Descripción del paquete: MONTAJE DE BRIDA, R-PSFM-T3
Recuento de pines: 3
Código ECCN: EAR99
Fabricante: STMicroelectronics
Rango de riesgo: 7.72
Clasificación energética de avalancha (Eas): 1300 mJ
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 55 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 80 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 80 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.008 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL SEMICONDUCTOR
Código JEDEC-95: TO-220AB
Código JESD-30: R-PSFM-T3
Código JESD-609: e3
Número de elementos: 1
Número de terminales: 3
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 175 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: MONTAJE DE BRIDA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 300 W
Corriente de drenaje pulsada-máx. (IDM): 320 A
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: NO
Acabado terminal: estaño mate (Sn)
Forma de terminal: THROUGH-HOLE
Posición terminal: SOLO
Horario
CANAL N 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 STRIPFET II mosfet