#STP140NF55 ST STP140NF55 Nouveau N-CHANNEL 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 STRIPFET II mosfet, images STP140NF55, prix STP140NF55, fournisseur #STP140NF55
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/stp140nf55.html
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Numéro de pièce du fabricant: STP140NF55
Nom de la marque: STMicroelectronics
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Fabricant Ihs: STMICROELECTRONICS
Code de paquet de pièce: TO-220AB
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Nombre de broches: 3
Code ECCN: EAR99
Fabricant: STMicroelectronics
Classement de risque: 7.72
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 1300 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 55 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 80 A
Courant de drain-Max (ID): 80 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.008 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Code JESD-609: e3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 175 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 300 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 320 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Finition du terminal: étain mat (Sn)
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
N-CANAL 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 STRIPFET II mosfet
Nom de la marque: STMicroelectronics
Code du cycle de vie de la pièce: non recommandé
Fabricant Ihs: STMICROELECTRONICS
Code de paquet de pièce: TO-220AB
Description de l'emballage: MONTAGE À BRIDE, R-PSFM-T3
Nombre de broches: 3
Code ECCN: EAR99
Fabricant: STMicroelectronics
Classement de risque: 7.72
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 1300 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 55 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 80 A
Courant de drain-Max (ID): 80 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.008 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Code JEDEC-95: TO-220AB
Code JESD-30: R-PSFM-T3
Code JESD-609: e3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 3
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 175 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style d'emballage: MONTAGE À BRIDE
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 300 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 320 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: NON
Finition du terminal: étain mat (Sn)
Forme terminale: THROUGH-HOLE
Position terminale: UNIQUE
Temps
N-CANAL 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 STRIPFET II mosfet