#STP140NF55 ST STP140NF55 Nuovo N-CHANNEL 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 STRIPFET II mosfet, immagini STP140NF55, prezzo STP140NF55, fornitore #STP140NF55
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
-----------------------
E-mail: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/stp140nf55.html
-----------------------
Codice articolo produttore: STP140NF55
Marchio: STMicroelectronics
Codice del ciclo di vita della parte: non consigliato
Produttore Ihs: STMICROELECTRONICS
Codice confezione parte: TO-220AB
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Numero pin: 3
Codice ECCN: EAR99
Produttore: STMicroelectronics
Grado di rischio: 7.72
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 1300 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 55 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 80 A
Scarico corrente-max (ID): 80 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.008 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO SEMICONDUTTORE
Codice JEDEC-95: TO-220AB
Codice JESD-30: R-PSFM-T3
Codice JESD-609: e3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 300 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 320 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: NO
Finitura terminale: latta opaca (Sn)
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
CANALE N 55 V 0.0065 OHM 80 A TO-220 STRIPFET II mosfet
Marchio: STMicroelectronics
Codice del ciclo di vita della parte: non consigliato
Produttore Ihs: STMICROELECTRONICS
Codice confezione parte: TO-220AB
Descrizione del pacchetto: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Numero pin: 3
Codice ECCN: EAR99
Produttore: STMicroelectronics
Grado di rischio: 7.72
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 1300 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 55 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 80 A
Scarico corrente-max (ID): 80 A
Drain-source On Resistenza-Max: 0.008 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO SEMICONDUTTORE
Codice JEDEC-95: TO-220AB
Codice JESD-30: R-PSFM-T3
Codice JESD-609: e3
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 3
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 175 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile pacchetto: ATTACCO A FLANGIA
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 300 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 320 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: NO
Finitura terminale: latta opaca (Sn)
Modulo terminale: PASSANTE
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
CANALE N 55 V 0.0065 OHM 80 A TO-220 STRIPFET II mosfet