#STP140NF55 ST STP140NF55 KÊNH N mới 55V 0.0065 OHM 80A ĐẾN 220 STRIPFET II mosfet, Ảnh STP140NF55, giá STP140NF55, nhà cung cấp # STP140NF55
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/stp140nf55.html
-----------------------
Mã sản phẩm của nhà sản xuất: STP140NF55
Thương hiệu: STMicroelectronics
Mã vòng đời một phần: Không được khuyến nghị
Nhà sản xuất Ihs: STMICROELECTRONICS
Mã phần gói: TO-220AB
Mô tả gói hàng: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Số lượng pin: 3
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: STMicroelectronics
Xếp hạng rủi ro: 7.72
Đánh giá năng lượng của Avalanche (Eas): 1300 mJ
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 55 V
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 80 A
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 80 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.008 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Mã JEDEC-95: TO-220AB
Mã JESD-30: R-PSFM-T3
Mã JESD-609: e3
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 175 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Nhiệt độ dòng chảy cao nhất (Cel): KHÔNG ĐƯỢC CHỈ ĐỊNH CỤ THỂ
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 300 W
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 320 A
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Kết thúc đầu cuối: Matte Tin (Sn)
Dạng đầu cuối: THROUGH-HOLE
Vị trí đầu cuối: SINGLE
Thời gian
N-CHANNEL 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 DẢI II mosfet
Thương hiệu: STMicroelectronics
Mã vòng đời một phần: Không được khuyến nghị
Nhà sản xuất Ihs: STMICROELECTRONICS
Mã phần gói: TO-220AB
Mô tả gói hàng: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Số lượng pin: 3
Mã ECCN: EAR99
Nhà sản xuất: STMicroelectronics
Xếp hạng rủi ro: 7.72
Đánh giá năng lượng của Avalanche (Eas): 1300 mJ
Kết nối trường hợp: DRAIN
Cấu hình: DUY NHẤT VỚI DIODE TÍCH HỢP
Phân tích DS Vôn-Tin: 55 V
Xả Hiện tại-Tối đa (Áp suất) (ID): 80 A
Xả Hiện tại-Tối đa (ID): 80 A
Nguồn xả khi Điện trở-Tối đa: 0.008 Ω
FET Công nghệ: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Mã JEDEC-95: TO-220AB
Mã JESD-30: R-PSFM-T3
Mã JESD-609: e3
Số phần tử: 1
Số lượng thiết bị đầu cuối: 3
Chế độ hoạt động: CHẾ ĐỘ NÂNG CAO
Nhiệt độ hoạt động-Tối đa: 175 ° C
Vật liệu thân gói: NHỰA / EPOXY
Hình dạng gói: RECTANGULAR
Phong cách gói: FLANGE MOUNT
Nhiệt độ dòng chảy cao nhất (Cel): KHÔNG ĐƯỢC CHỈ ĐỊNH CỤ THỂ
Phân cực / Loại kênh: N-CHANNEL
Công suất tiêu tán-Tối đa (Áp suất): 300 W
Dòng xả xung-Tối đa (IDM): 320 A
Trạng thái đủ điều kiện: Không đủ điều kiện
Danh mục con: FET General Purpose Power
Gắn kết bề mặt: KHÔNG
Kết thúc đầu cuối: Matte Tin (Sn)
Dạng đầu cuối: THROUGH-HOLE
Vị trí đầu cuối: SINGLE
Thời gian
N-CHANNEL 55V 0.0065 OHM 80A TO-220 DẢI II mosfet