#IRFL110TRPBF VISHAY IRFL110TRPBF Nuevo efecto de campo de pequeña señal Transistor, 1.5A I (D), 100V, 1 elemento, canal N, silicio, óxido de metal Semiconductores FET, TO-261AA, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, imágenes IRFL110TRPBF, precio IRFL110TRPBF, proveedor # IRFL110TRPBF
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Correo electrónico: sales@shunlongwei.com
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Número de pieza del fabricante: IRFL110TRPBF
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de Ihs: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Código del paquete de piezas: TO-261AA
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G4
Recuento de pines: 4
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Intertechnologies
Rango de riesgo: 0.66
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 100 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 1.5 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 1.5 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.54 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-261AA
Código JESD-30: R-PDSO-G4
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 4
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 3.1 W
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de Efecto de Campo de Señal Pequeña, 1.5AI(D), 100V, 1 Elemento, Canal N, Silicio, Óxido Metálico Semiconductores FET, TO-261AA, PAQUETE-4 QUE CUMPLE CON ROHS
Código Pbfree: Sí
Código de ciclo de vida de la pieza: activo
Fabricante de Ihs: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Código del paquete de piezas: TO-261AA
Descripción del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA, R-PDSO-G4
Recuento de pines: 4
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Intertechnologies
Rango de riesgo: 0.66
Conexión de la caja: DRAIN
Configuración: ÚNICO CON DIODO INTEGRADO
Desglose de DS voltaje-Mín: 100 V
Corriente de drenaje máxima (Abs) (ID): 1.5 A
Corriente de drenaje máxima (ID): 1.5 A
Fuente de drenaje en la resistencia máxima: 0.54 Ω
FET Tecnología: ÓXIDO DE METAL Semiconductores
Código JEDEC-95: TO-261AA
Código JESD-30: R-PDSO-G4
Nivel de sensibilidad a la humedad: 1
Número de elementos: 1
Número de terminales: 4
Modo de funcionamiento: MODO DE MEJORA
Temperatura de funcionamiento máxima: 150 ° C
Temperatura de funcionamiento mínima: -55 ° C
Material del cuerpo del paquete: PLÁSTICO / EPOXI
Forma del paquete: RECTANGULAR
Estilo del paquete: PEQUEÑO ESQUEMA
Temperatura máxima de reflujo (Cel): NO ESPECIFICADA
Polaridad / Tipo de canal: N-CANAL
Disipación de energía-Máx. (Abs): 3.1 W
Estado de calificación: no calificado
Subcategoría: FET General Purpose Power
Montaje en superficie: SÍ
Forma de terminal: ALA DE GAVIOTA
Posición terminal: DUAL
Horario
Transistor de Efecto de Campo de Señal Pequeña, 1.5AI(D), 100V, 1 Elemento, Canal N, Silicio, Óxido Metálico Semiconductores FET, TO-261AA, PAQUETE-4 QUE CUMPLE CON ROHS