#IRFL110TRPBF VISHay IRFL110TRPBF 새로운 소신호 전계 효과 트랜지스터, 1.5A I (D), 100V, 1 요소, N 채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-261AA, ROHS 호환 패키지-4, IRFL110TRPBF 사진, IRFL110TRPBF 가격, #IRFL110TRPBF 공급업체
-----------------------
이메일 : sales@shunlongwei.com
-----------------------
이메일 : sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/irfl110trpbf.html
-----------------------
제조업체 부품 번호: IRFL110TRPBF
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
부품 패키지 코드 : TO-261AA
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Pin Count : 4
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Vishay Intertechnologies
위험 순위 : 0.66
케이스 연결 : 배수
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 100V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 1.5A
최대 드레인 전류 (ID) : 1.5A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.54 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JEDEC-95 코드 : TO-261AA
JESD-30 코드 : R-PDSO-G4
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 1
터미널 수 : 4
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
작동 온도-최소 : -55 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 3.1W
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : 예
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
소신호 전계 효과 트랜지스터, 1.5AI(D), 100V, 1소자, N채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-261AA, ROHS 준수 패키지-4
Pbfree 코드 : 예
부품 수명주기 코드 : 활성
IHS 제조업체 : VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
부품 패키지 코드 : TO-261AA
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Pin Count : 4
ECCN 코드 : EAR99
제조업체 : Vishay Intertechnologies
위험 순위 : 0.66
케이스 연결 : 배수
구성 : 내장 다이오드가있는 단일
DS 분석 전압-최소 : 100V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 1.5A
최대 드레인 전류 (ID) : 1.5A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.54 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JEDEC-95 코드 : TO-261AA
JESD-30 코드 : R-PDSO-G4
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 1
터미널 수 : 4
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
작동 온도-최소 : -55 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 지정되지 않음
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 3.1W
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전력
표면 실장 : 예
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
소신호 전계 효과 트랜지스터, 1.5AI(D), 100V, 1소자, N채널, 실리콘, 금속 산화물 반도체 FET, TO-261AA, ROHS 준수 패키지-4