#AP9477GK AP AP9477GK Nouveau Transistor 4.1 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS CONFORME PACKAGE-4, FET General Purpose Power, images AP9477GK, prix AP9477GK, fournisseur #AP9477GK
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/ap9477gk.html
-----------------------
Numéro de pièce du fabricant: AP9477GK
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: Contacter le fabricant
Ihs Fabricant : ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G4
Nombre de broches: 4
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.29.00.95
Fabricant : avancé Puissance Société d'électronique
Classement de risque: 5.69
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 60 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 4.1 A
Courant de drain-Max (ID): 4.1 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.09 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30: R-PDSO-G4
Niveau de sensibilité à l'humidité: 3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 4
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 2.8 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 20 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Pouvoirs à usage général du FET
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor 4.1 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET Alimentation à usage général
Code Rohs: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: Contacter le fabricant
Ihs Fabricant : ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G4
Nombre de broches: 4
Code ECCN: EAR99
Code HTS: 8541.29.00.95
Fabricant : avancé Puissance Société d'électronique
Classement de risque: 5.69
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 60 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 4.1 A
Courant de drain-Max (ID): 4.1 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.09 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30: R-PDSO-G4
Niveau de sensibilité à l'humidité: 3
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 4
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 2.8 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 20 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Pouvoirs à usage général du FET
Montage en surface: OUI
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
Transistor 4.1 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET Alimentation à usage général