#AP9477GK AP AP9477GK Novo Transistor 4.1 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET General Purpose Power, fotos AP9477GK, preço AP9477GK, fornecedor # AP9477GK
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Email: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/ap9477gk.html
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Número da peça do fabricante: AP9477GK
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: Entre em contato com o fabricante
Fabricante Ihs: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Contagem de pinos: 4
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: Avançado Potência Corporação Eletrônica
Classificação de risco: 5.69
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 60 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 4.1 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 4.1 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.09 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-PDSO-G4
Nível de sensibilidade à umidade: 3
Número de elementos: 1
Número de terminais: 4
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 2.8 W
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 20 A
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poderes de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor 4.1 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET Uso geral de energia
Código Rohs: Sim
Código do ciclo de vida da peça: Entre em contato com o fabricante
Fabricante Ihs: ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Contagem de pinos: 4
Código ECCN: EAR99
Código HTS: 8541.29.00.95
Fabricante: Avançado Potência Corporação Eletrônica
Classificação de risco: 5.69
Conexão do caso: DRAIN
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 60 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 4.1 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 4.1 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.09 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-PDSO-G4
Nível de sensibilidade à umidade: 3
Número de elementos: 1
Número de terminais: 4
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 2.8 W
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 20 A
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poderes de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor 4.1 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, mosfet, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4, FET Uso geral de energia