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Email: sales@shunlongwei.com
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Fabriquant: Infineon
Catégorie de produits: IGBT Modules
RoHS : N
Configuration: porte commune triple émetteur commun
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 3300 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 3.4 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 2000 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Pd - Dissipation de puissance: 14.5 kW
Emballage / boîte: IS5a (62 mm) -9
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Emballage: plateau
Hauteur : 38 mm
Longueur : 190 mm
Largeur : 140 mm
Marque: Infineon Technologies
Style de montage: montage à vis
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Type de produit: IGBT Modules
Quantité par emballage d'usine: 1
Sous-catégorie: IGBTs
Partie # Alias: FZ1200R33KF2CNOSA1 SP000100603