#FF150R12KE3G Eupec FF150R12KE3G Nouveau IGBT Modules 1200V 150A DUAL, images FF150R12KE3G, prix FF150R12KE3G, fournisseur # FF150R12KE3G
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
FF150R12KE3G
Catégorie de produits: IGBT Modules
Fabriquant: Infineon
RoHS: Non
Produit: IGBT Modules de silicium
Configuration: double
Collecteur-émetteur Tension VCEO max: 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 1.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: 225 A
Courant de fuite porte-émetteur: 400 nA
Pd - Dissipation de puissance: 780 W
Emballage / boîte: 62 mm
Température de fonctionnement maximale: + 125 C
Emballage: plateau
Marque: Infineon Technologies
Hauteur : 30.5 mm
Longueur : 106.4 mm
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température de fonctionnement minimum: - 40 C
Style de montage: vis
Quantité par emballage d'usine: 10
Largeur : 61.4 mm