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Email: sales@shunlongwei.com
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FF150R12KE3G
Categoria Del Prodotto: IGBT moduli
Produttore: Infineon
RoHS: No
Prodotti: IGBT Moduli in silicone
Configurazione: doppia
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V.
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 1.7 V
Corrente di collettore continua a 25 C: 225 A
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 nA
Pd - Dissipazione di potenza: 780 W.
Confezione / Cassa: 62 mm
Temperatura operativa massima: + 125 C
Confezionamento: vassoio
Marchio: Infineon Technologies
Altezza: 30.5 mm
Lunghezza: 106.4 mm
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/-20 V
Temperatura di esercizio minima: - 40 ° C
Stile di montaggio: vite
Quantità confezione da fabbrica: 10
Larghezza: 61.4 mm