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Email: sales@shunlongwei.com
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FF150R12KE3G
Categoria de Produto: IGBT Módulos
Fabricante: Infineon
RoHS: Não
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Dual
Coletor- Emissor Voltagem VCEO Máx .: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 1.7 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 225 A
Corrente de vazamento de porta-emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 780 W
Pacote / Caixa: 62 mm
Temperatura máxima de operação: + 125 C
Embalagem: Bandeja
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30.5 mm
Comprimento: 106.4 mm
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20V
Temperatura Mínima de Operação: - 40 C
Estilo de montagem: parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 10
Largura: 61.4 mm