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Courriel: sales@shunlongwei.com
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FS225R12KE3
Catégorie de produits: IGBT Modules
Fabricant: Infineon
RoHS: Non
Produit: IGBT Modules de silicium
Configuration: Hex
Collecteur-émetteur Tension VPEO Max : 1200 V
Saturation collecteur-émetteur Tension: 1.7 V
Courant de collecteur continu à 25 C: A 325
Courant de fuite porte-émetteur: 400 na
Pd - Dissipation de puissance: 1.15kW
Paquet / Cas: EconoPACK +
Température de fonctionnement maximale: + 125°C
Paquet: Plateau
Marque: Infineon Technologies
La taille: 17 mm
Longueur: 162 mm
Émetteur de porte maximum Tension: +/- 20V
Température minimale de fonctionnement: - 40 C
Style de montage: Vis
Quantité de paquet d'usine: 4
Largeur: 150 mm
Modules IGBT 1200V 225A 3 PHASE
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