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Email: sales@shunlongwei.com
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FS225R12KE3
Categoria de Produto: IGBT Módulos
Fabricante: Infineon
RoHS: Não
Produto: IGBT Módulos de Silício
Configuração: Feitiço
Coletor- Emissor Voltagem VEO Max: 1200 V
Saturação Coletor-Emissor Voltagem: 1.7 V
Corrente de coletor contínua a 25 C: 325 A
Corrente de vazamento do emissor-porta: 400 nA
Pd - Dissipação de energia: 1.15 kW
Pacote / Caso: EconoPACK +
Temperatura operacional máxima: + 125ºC
Embalagem: Bandeja
marca: Infineon Technologies
Altura: 17 mm
Comprimento: 162 mm
Emissor máximo de porta Voltagem: +/- 20 V
Temperatura operacional mínima: - 40 C
Estilo de montagem: Parafuso
Quantidade do pacote de fábrica: 4
Largura: 150 mm
Módulos IGBT 1200V 225A 3-FASE
Shunlongwei inspecionado todos os FS225R12KE3 antes do envio, todos os FS225R12KE3 com 6 meses de garantia.