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E-mail: sales@shunlongwei.com
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FS225R12KE3
Categoria Del Prodotto: IGBT moduli
Produttore: Infineon
RoHS: Non
Prodotti: IGBT Moduli in silicone
Configurazione: Hex
Collettore-Emettitore voltaggio VCEO massimo: 1200 V
Saturazione collettore-emettitore voltaggio: 1.7 V
Corrente continua del collettore a 25 C: Il 325
Corrente di dispersione gate-emettitore: 400 n.a
Pd - Dissipazione di potenza: 1.15kW
Pacchetto / caso: EconoPACK +
Temperatura operativa massima: + 125 Do
Packaging: Vassoio
Marca: Infineon Technologies
Altezza: 17 mm
Lunghezza: 162 mm
Emettitore Gate massimo voltaggio: +/- 20 V
Temperatura operativa minima: - 40 C
Stile di montaggio: Vite
Quantità confezione di fabbrica: 4
Larghezza: 150 mm
Moduli IGBT 1200V 225A TRIFASE
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