#SSW5N80A FAIRCHILD SSW5N80A Nouvel effet de champ de puissance Transistor, 5 A I(D), 800 V, 2.2 ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, D2PAK-3, images SSW5N80A, prix SSW5N80A, fournisseur #SSW5N80A
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https://www.slw-ele.com/ssw5n80a.html
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Numéro de pièce du fabricant: SSW5N80A
Code Rohs: Non
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: FAIRCHILD Semi-conducteurs CORP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PSSO-G2
Nombre de broches: 3
Fabricant : Fairchild Semi-conducteurs Corporation
Classement de risque: 5.92
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 333 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 800 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 5 A
Courant de drain-Max (ID): 5 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 2.2 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-PSSO-G2
Code JESD-609: e0
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 2
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 140 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 20 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: étain / plomb (Sn / Pb)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, D2PAK-3
Code Rohs: Non
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Ihs Fabricant: FAIRCHILD Semi-conducteurs CORP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PSSO-G2
Nombre de broches: 3
Fabricant : Fairchild Semi-conducteurs Corporation
Classement de risque: 5.92
Indice d'énergie d'avalanche (Eas) : 333 mJ
Connexion du boîtier : DRAIN
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 800 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 5 A
Courant de drain-Max (ID): 5 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 2.2 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30 : R-PSSO-G2
Code JESD-609: e0
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 2
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): NON SPÉCIFIÉ
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 140 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 20 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: étain / plomb (Sn / Pb)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: UNIQUE
Temps
Transistor à effet de champ de puissance, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, D2PAK-3