#SSW5N80A FAIRCHILD SSW5N80A Nuovo effetto di campo di potenza Transistor, 5A I(D), 800 V, 2.2 ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, D2PAK-3, immagini SSW5N80A, prezzo SSW5N80A, fornitore #SSW5N80A
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https://www.slw-ele.com/ssw5n80a.html
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Codice articolo produttore: SSW5N80A
Codice Rohs: No
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: FAIRCHILD Semiconduttore CORPO
Descrizione della confezione: PICCOLO CONTORNO, R-PSSO-G2
Numero pin: 3
Produttore: Fairchild Semiconduttore Società
Grado di rischio: 5.92
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 333 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 800 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 5 A
Scarico corrente-max (ID): 5 A
Drain-source On Resistenza-Max: 2.2 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PSSO-G2
Codice JESD-609: e0
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 2
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 140 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 20 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: stagno / piombo (Sn / Pb)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: SINGOLO
Ora
Transistor ad effetto di campo di potenza, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, D2PAK-3
Codice Rohs: No
Codice del ciclo di vita della parte: obsoleto
Ihs Produttore: FAIRCHILD Semiconduttore CORPO
Descrizione della confezione: PICCOLO CONTORNO, R-PSSO-G2
Numero pin: 3
Produttore: Fairchild Semiconduttore Società
Grado di rischio: 5.92
Valutazione energetica delle valanghe (Eas): 333 mJ
Connessione cassa: DRAIN
Configurazione: SINGOLA CON DIODO INTEGRATO
Ripartizione DS voltaggio-Min: 800 V
Scarico corrente-max (Abs) (ID): 5 A
Scarico corrente-max (ID): 5 A
Drain-source On Resistenza-Max: 2.2 .
FET Tecnologia: OSSIDO DI METALLO Semiconduttore
Codice JESD-30: R-PSSO-G2
Codice JESD-609: e0
Numero di elementi: 1
Numero di terminali: 2
Modalità operativa: MODALITÀ MIGLIORAMENTO
Temperatura di esercizio-Max: 150 ° C
Materiale corpo confezione: PLASTICA / EPOSSIDICA
Forma del pacchetto: RETTANGOLARE
Stile confezione: PICCOLO PROFILO
Temperatura di riflusso di picco (Cel): NON SPECIFICATA
Polarità / Tipo di canale: N-CHANNEL
Dissipazione di potenza-Max (Abs): 140 W.
Corrente di drenaggio pulsata (IDM): 20 A
Stato della qualifica: non qualificato
Sottocategoria: FET General Purpose Power
Montaggio superficiale: SI
Finitura terminale: stagno / piombo (Sn / Pb)
Modulo terminale: GULL WING
Posizione terminale: SINGOLO
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Transistor ad effetto di campo di potenza, 5A I(D), 800V, 2.2ohm, 1 elemento, canale N, silicio, ossido di metallo Semiconduttore FET, D2PAK-3