#2MBI1200U4G-170 Fuji 2MBI1200U4G-170 Nouveau IGBT Tableau & Module Transistor Module double double canal N 1.6 kA 2.57 V 6.25 kW 1.7 kV, images 2MBI1200U4G-170, prix 2MBI1200U4G-170, fournisseur #2MBI1200U4G-170
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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Polarité du transistor: double canal N
Courant de collecteur CC: 1.6
Saturation de l'émetteur du collecteur Tension Vce (activé): 2.57
Dissipation de puissance Pd: 6.25
Émetteur collecteur Tension V (br) ceo:
Type de boîtier de transistor: Module
Nombre de broches: 10
Température de fonctionnement max: 150
IGBT Matrice et module Transistor Pack double Double canal N 1.6 kA 2.57 V 6.25 kW Module 1.7 kV
Shunlongwei inspecté tous les 2MBI1200U4G-170 avant expédition, tous les 2MBI1200U4G-170 avec une garantie de 6 mois.