#2MBI1200U4G-170 Fuji 2MBI1200U4G-170 Nuovo IGBT Vettore & Moduli Transistor Modulo Dual Pack Dual N Channel 1.6 kA 2.57 V 6.25 kW 1.7 kV, immagini 2MBI1200U4G-170, prezzo 2MBI1200U4G-170, fornitore #2MBI1200U4G-170
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E-mail: sales@shunlongwei.com
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Polarità transistor: doppio canale N.
Corrente di collettore CC: 1.6
Saturazione dell'emettitore del collettore voltaggio Vce (attivo): 2.57
Dissipazione di potenza Pd: 6.25
Emettitore del collettore voltaggio V (br) amministratore delegato:
Modello Case Transistor: Modulo
No. of Pins: 10
Temperatura di funzionamento massima: 150
IGBT Modulo e array Transistor Dual Pack Doppio canale N 1.6 kA 2.57 V 6.25 kW 1.7 kV Modulo
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