#2MBI1200U4G-170 Fuji 2MBI1200U4G-170 Novo IGBT Variedade & Módulo Transistor Módulo Dual Pack Dual N Channel 1.6 kA 2.57 V 6.25 kW 1.7 kV, imagens 2MBI1200U4G-170, preço 2MBI1200U4G-170, fornecedor # 2MBI1200U4G-170
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Email: sales@shunlongwei.com
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Polaridade do transistor: Dual N Channel
Corrente de coletor DC: 1.6
Saturação do coletor emissor Voltagem Vce (ligado): 2.57
Dissipação de energia Pd: 6.25
Emissor Coletor Voltagem V (br) ceo:
Estilo de Caixa de Transistor: Módulo
Número de pinos: 10
Temperatura operacional máxima: 150
IGBT Matriz e módulo Transistor Dual Pack Dual N Channel 1.6 kA 2.57 V 6.25 kW Módulo 1.7 kV
Shunlongwei inspecionado a cada 2MBI1200U4G-170 antes do envio, todos os 2MBI1200U4G-170 com 6 meses de garantia.