#BSL802SNL6327 SON/INFINEON BSL802SNL6327 Nouveau petit effet de champ de signal Transistor, 7.5A I(D), 20V, 1 élément, canal N, silicium, oxyde métallique Semi-conducteurs FET, VERT, PLASTIQUE, TSOP-6, images BSL802SNL6327, prix BSL802SNL6327, fournisseur #BSL802SNL6327
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Courriel: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/bsl802snl6327.html
-----------------------
Fabricants Numéro de pièce : BSL802SNL6327
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Code de paquet de pièce : TSOP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G6
Nombre de broches: 6
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 5.73
Caractéristique supplémentaire : VALEUR AVALANCHE, COMPATIBLE AU NIVEAU LOGIQUE
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 20 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 7.5 A
Courant de drain-Max (ID): 7.5 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.022 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Cap-Max de rétroaction (Crss): 77 pF
Code JESD-30: R-PDSO-G6
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 6
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Puissance Dissipation-Max (Abs): 2 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme terminale: GULL WING
Poste terminal : DOUBLE
Temps
Transistor à effet de champ à petit signal, 7.5AI(D), 20V, 1 élément, canal N, silicium, FET à semi-conducteur à oxyde métallique, VERT, PLASTIQUE, TSOP-6
Code Pbfree: Oui
Code du cycle de vie de la pièce: obsolète
Fabricant Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Code de paquet de pièce : TSOP
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G6
Nombre de broches: 6
Code ECCN: EAR99
Fabricant: Infineon Technologies AG
Classement de risque: 5.73
Caractéristique supplémentaire : VALEUR AVALANCHE, COMPATIBLE AU NIVEAU LOGIQUE
Configuration: UNIQUE AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 20 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 7.5 A
Courant de drain-Max (ID): 7.5 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.022 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL SEMI-CONDUCTEUR
Cap-Max de rétroaction (Crss): 77 pF
Code JESD-30: R-PDSO-G6
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 1
Nombre de terminaux: 6
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Puissance Dissipation-Max (Abs): 2 W
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Puissance à usage général FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: MATTE TIN
Forme terminale: GULL WING
Poste terminal : DOUBLE
Temps
Transistor à effet de champ à petit signal, 7.5AI(D), 20V, 1 élément, canal N, silicium, FET à semi-conducteur à oxyde métallique, VERT, PLASTIQUE, TSOP-6