#BSL802SNL6327 SON / INFINEON BSL802SNL6327 Novo efeito de campo de pequeno sinal Transistor, 7.5A I (D), 20V, 1 elemento, canal N, silício, óxido metálico Semicondutores FET, GREEN, PLASTIC, TSOP-6, imagens BSL802SNL6327, preço BSL802SNL6327, # BSL802SNL6327 fornecedor
———————————————————————
Email: sales@shunlongwei.com
———————————————————————
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/bsl802snl6327.html
———————————————————————
Fabricante Número da peça: BSL802SNL6327
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Código do pacote da peça: TSOP
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Contagem de pinos: 6
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Classificação de risco: 5.73
Recurso adicional: AVALANCHE AVALIADO, NÍVEL DE LÓGICA COMPATÍVEL
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 20 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 7.5 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 7.5 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.022 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Feedback Cap-Max (Crss): 77 pF
Código JESD-30: R-PDSO-G6
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 6
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Potência Dissipação-Máx (Abs): 2 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do terminal: MATTE TIN
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de pequeno sinal, 7.5AI (D), 20V, 1 elemento, canal N, silício, semicondutor de óxido metálico FET, VERDE, PLÁSTICO, TSOP-6
Código Pbfree: Sim
Código do ciclo de vida da peça: obsoleto
Fabricante Ihs: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Código do pacote da peça: TSOP
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Contagem de pinos: 6
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Infineon Technologies AG
Classificação de risco: 5.73
Recurso adicional: AVALANCHE AVALIADO, NÍVEL DE LÓGICA COMPATÍVEL
Configuração: ÚNICO COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 20 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 7.5 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 7.5 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.022 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO SEMICONDUTOR
Feedback Cap-Max (Crss): 77 pF
Código JESD-30: R-PDSO-G6
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 1
Número de terminais: 6
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Potência Dissipação-Máx (Abs): 2 W
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poder de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Acabamento do terminal: MATTE TIN
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
Transistor de efeito de campo de pequeno sinal, 7.5AI (D), 20V, 1 elemento, canal N, silício, semicondutor de óxido metálico FET, VERDE, PLÁSTICO, TSOP-6