Diskrit IGBT yang membantu mengurangi konsumsi daya dan emisi peralatan rumah tangga: GT30J110SRA
[1] Produk yang ada GT60PR21
[2] @VCE= 600 V, I.C= 60 A, V.GE= ＋ 15 V, Ta= 25 ° C
[3] @AkuF= 30 A, V.GE= 0 V, Ta= 25 ° C
[4] Nilai diukur oleh Toshiba.
[5] Produk yang ada GT40QR21
Fitur
- Generasi 6.5th
- Dioda built-in dengan struktur RC
- Dioda rendah maju tegangan : VF= 1.40 V (ketik) @IF= 30 A, Ta= 25 ° C
Aplikasi
tegangan resonansi untuk peralatan rumah tangga
- Penanak nasi IH
- Pemanas memasak IH
- Oven microwave, dll.
Spesifikasi Produk
(Kecuali ditentukan lain, @Ta= 25 ° C)
Intern sirkit
Aplikasi sirkit Contoh
Sirkuit aplikasi yang ditunjukkan dalam dokumen ini disediakan untuk tujuan referensi saja.
Evaluasi menyeluruh diperlukan, terutama pada tahap desain produksi massal.
Menyediakan aplikasi ini sirkit contoh tidak memberikan lisensi apa pun untuk hak milik industri.
Kurva Karakteristik
- Produk baru ini memiliki fitur diode forward tegangan[3] dari 1.40 V tipikal pada 25 ° C dan 30 A, sekitar 33% pengurangan dari produk yang ada[1], membantu mengurangi konsumsi daya peralatan.
- Produk baru telah mengubah desain chip untuk mengurangi kapasitor arus hubung singkat yang dihasilkan saat startup untuk tegangan resonansi dibandingkan dengan produk yang ada[1]. Arus kolektor ditekan hingga 150 hingga 200 A pada TC= 25 ° C dan V.GE= 15 V. Tegangan saturasi kolektor-emitornya juga setara dengan produk yang ada[1] untuk 60 A atau lebih rendah.
- Produk baru ini menawarkan karakteristik trade-off yang lebih baik dengan jangkauan resistansi gerbang yang lebar dibandingkan dengan produk yang sudah ada[1].
- Emisi radiasi produk baru sekitar 30 MHz di mana tingkat emisi terpancar adalah yang terkuat telah meningkat sekitar 10 dBμV / m dibandingkan dengan produk serupa yang ada.[5].
Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, terbaru pada tanggal pengumuman tetapi dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.