Discretus IGBT quae potentiam consummationem reducere adiuvat et emissiones domorum adiumenta radiavit: GT30J110SRA
[1] Existens productum GT60PR21
[2] @VCE= 600 V, IC= 60 A, VGE= ＋15 V, Ta= 25 ° F
[3] @IF= 30 A, VGE= 0 V, Ta= 25 ° F
[4] Valores Toshiba mensurantur.
[5] Existens productum GT40QR21
Features
- 6.5th generation
- Inaedificata in diode RC compages
- Diode humilis deinceps voltage InF= 1.40 V (typ.) @IF=30 A, Ta= 25 ° F
Applications
voltage resonantia in domum adjumenta
- III rice libero
- III coctione calefacientis
- Proin clibano etc.
productum Specifications
(Nisi aliud certum, @T'a=25 °C)
Internum circuit
Applicatio circuit exemplum
Applicatio circuitus in hoc documento exhibito solum proposita referendi sunt.
Perpensio requiritur, praesertim in scaena instrumenti productionis massae.
Dum haec application circuit exempla nullam licentiam tribuit iurium proprietatis industriae.
Characteres curvae
- Novus productum features a diode deinceps voltage[3] typicam 1.40 V ad 25 °C et 30 A, circiter 33% reductionem e producto existente[1]ad potestatem redigendis adhibitis instrumentis.
- Novus productum consilium chip mutata ad reducere capacitor brevis-circuitu vena generatae in startup for voltage resonantia comparari cum existentium productum[1]. Collector currenti ad 150 ad 200 A ad T supprimiturC= 25 °C et VGE=15 V. Intentio satietatem exactor-emissam idem valet ac quod producti exsistentis[1] for 60 A or inferior.
- Novus productus melius proprietates commercii praebet cum lato portae resistentiae range comparati ad producti exsistentem[1].
- Novus producti emissiones radiatae circa 30 MHz ubi gradu emissiones radiatae validissimas emendavit per circiter 10 dBμV/m comparati ad similes productos existentes.[5].
Indicio in hoc documento, additis pretiis ac speciebus productis, contentum officiorum ac informationum contactuum, in die nuntiationis agitur, sed mutabilitati obnoxia est sine praevia notitia.