ayrık bir IGBT ev aletlerinin güç tüketimini ve yayılan emisyonlarını azaltmaya yardımcı olan : GT30J110SRA
[1] Mevcut ürün GT60PR21
[2] @VCE=600V, benC=60 A, VGE=＋15 V, Ta=25 °C
[3] @benF=30 A, VGE=0 V, Ta=25 °C
[4] Değerler Toshiba tarafından ölçülmüştür.
[5] Mevcut ürün GT40QR21
Özellikler
- 6.5th nesil
- RC yapısına göre dahili diyot
- Düşük diyot ileri Voltaj : VF=1.40 V (tip.) @IF=30 A,Ta=25 °C
Uygulamalar
Voltaj ev aletleri için rezonans
- IH pirinç pişirici
- IH pişirme ısıtıcısı
- Mikrodalga fırın vb.
Ürün Özellikleri
(Aksi belirtilmedikçe, @Ta=25 °C)
İç devre
Uygulama devre Örnek E-posta
Bu belgede gösterilen uygulama devreleri yalnızca referans amaçlıdır.
Özellikle seri üretim tasarım aşamasında kapsamlı bir değerlendirme gereklidir.
Bu uygulamaları sağlamak devre örnekler herhangi bir sınai mülkiyet hakkı lisansı vermez.
Özellikler Eğrileri
- Yeni ürün ileri bir diyot özelliğine sahiptir Voltaj[3] 1.40 °C ve 25 A'da tipik 30 V, mevcut ürüne göre yaklaşık %33 azalma[1]ekipmanın güç tüketimini azaltmaya yardımcı olur.
- Yeni ürün, çip tasarımını değiştirerek kondansatör başlatma sırasında üretilen kısa devre akımı Voltaj Mevcut ürünle karşılaştırıldığında rezonans[1]. Kolektör akımı T'de 150 ila 200 A'ya bastırılırC=25 °C ve VGE=15 V. Kollektör-emitör doyma gerilimi de mevcut ürünle eşdeğerdir.[1] 60 A veya daha düşük için.
- Yeni ürün, mevcut ürünle karşılaştırıldığında geniş kapı direnci aralığıyla daha iyi denge özellikleri sunuyor[1].
- Yeni ürünün yayılan emisyon seviyesinin en güçlü olduğu 30 MHz civarındaki yayılan emisyonları, mevcut benzer ürünle karşılaştırıldığında yaklaşık 10 dBμV/m kadar iyileşti[5].
Ürün fiyatları ve özellikleri, hizmetlerin içeriği ve iletişim bilgilerini içeren bu dokümandaki bilgiler, duyuru tarihinde günceldir ancak önceden haber verilmeksizin değiştirilebilir.