Um discreto IGBT que ajuda a reduzir o consumo de energia e as emissões radiadas de eletrodomésticos: GT30J110SRA
[1] Produto existente GT60PR21
[2] @VCE= 600 V, IC= 60 A, VGE= ＋ 15 V, Ta= 25 ° C
[3] @euF= 30 A, VGE= 0 V, Ta= 25 ° C
[4] Valores medidos pela Toshiba.
[5] Produto existente GT40QR21
Funcionalidades
- 6.5th geração
- Diodo integrado por estrutura RC
- Díodo baixo para frente Voltagem : VF= 1.40 V (típico) @IF= 30 A, Ta= 25 ° C
Aplicações
Voltagem ressonância para eletrodomésticos
- Panela de arroz IH
- Aquecedor de cozinha IH
- Forno microondas, etc.
Especificações Do Produto
(A menos que especificado de outra forma, @Ta= 25 ° C)
Interno o circuito
Aplicação o circuito Exemplo
Os circuitos de aplicação mostrados neste documento são fornecidos apenas para fins de referência.
Uma avaliação completa é necessária, especialmente no estágio de design de produção em massa.
Fornecendo esses aplicativos o circuito exemplos não concede qualquer licença de direitos de propriedade industrial.
Curvas de características
- O novo produto apresenta um diodo avançado Voltagem[3] de 1.40 V típico a 25 ° C e 30 A, redução de cerca de 33% em relação ao produto existente[1], ajudando a reduzir o consumo de energia do equipamento.
- O novo produto mudou o design do chip para reduzir o capacitor corrente de curto-circuito gerada durante a partida para Voltagem ressonância em comparação com o produto existente[1]. A corrente do coletor é suprimida para 150 a 200 A em TC= 25 ° C e VGE= 15 V. Sua tensão de saturação coletor-emissor também é equivalente à do produto existente[1] para 60 A ou inferior.
- O novo produto oferece melhores características de compensação com uma ampla faixa de resistência de porta em comparação com o produto existente[1].
- As emissões irradiadas do novo produto em cerca de 30 MHz, onde o nível de emissões irradiadas é o mais forte, melhoraram cerca de 10 dBμV / m em comparação com o produto similar existente[5].
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