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Apresentando o Infineon BSM200GB120DN2 IGBT Módulo, uma solução de ponta para aplicações em eletrônica de potência. Este módulo faz parte da extensa gama de IGBT Módulos, conhecidos por seu alto desempenho e confiabilidade. Projetado para atender aos padrões da indústria, ele oferece vários recursos e benefícios.
O BSM200GB120DN2 vem em uma configuração Half Bridge, tornando-o versátil e adequado para vários o circuito projetos. Com um Coletor-Emissor máximo Voltagem (VCEO Max) de 1200 V, garante operação robusta e eficiente. A Saturação Coletor-Emissor Voltagem é de apenas 2.5 V, minimizando as perdas de energia e aumentando a eficiência do sistema.
Esta IGBT O módulo possui uma Corrente de Coletor Contínuo de 290 A a 25°C, permitindo lidar com requisitos de energia substanciais. Além disso, a corrente de fuga do emissor do gate é impressionantemente baixa, medindo apenas 400 nA. Essa característica aumenta a confiabilidade do sistema e evita a dissipação de energia desnecessária.
Falando em dissipação de energia, o BSM200GB120DN2 oferece uma dissipação de energia (Pd) de 1.4 kW, permitindo lidar com aplicações de alta potência com facilidade. Sua embalagem/caixa robusta, conhecida como Half Bridge2, garante gerenciamento térmico confiável e estabilidade mecânica.
Temperaturas de operação extremas não são um desafio para este IGBT módulo. Essa versatilidade o torna adequado para diversas condições de operação.
A instalação é simplificada graças ao Estilo de Montagem por Parafuso, proporcionando integração segura e conveniente em seu sistema. Cada embalagem contém 10 unidades, garantindo um abastecimento adequado às necessidades do seu projeto.
Em resumo, o Infineon BSM200GB120DN2 IGBT O módulo é uma solução de alto desempenho, confiável e compatível com RoHS. Com suas especificações excepcionais, ele atende às demandas de diversas aplicações de eletrônica de potência, garantindo desempenho eficiente e otimizado. Confie na experiência da marca Infineon Technologies para aprimorar seus sistemas com seus módulos de silício IGBT de última geração.