Sales Email: sales@shunlongwei.com
Introducendis Infineon BSM200GB120DN2 IGBT Module, acies solutionis potentiarum applicationum electronicarum incisurarum. Cuius moduli pars Infineon's amplis IGBT Moduli, quorum summus observantia et constantia clarus fuit. Obviam signa industriae destinatur, multas lineas et beneficia praebet.
BSM200GB120DN2 in figura dimidia pontis venit, faciens illum versatilem et variis aptum circuit designs. Cum maxime Collector-Eitter voltage (VCEO Max) de 1200 V, efficit operationem robustam et efficientem. Collector-Emitte ad satietatem voltage est solum 2.5 V, extenuando damna potentiae et efficiendi ratio amplificandi.
haec IGBT modulus gloriatur continuum Collector Current of 290 A ad 25°C, ut vim substantialem requisita tractare possit. Accedit, Current Leakage Porta-Emitter graviter humilis est, modo 400 nA mensurans. Haec proprietas systematis firmitatis auget ac dissipatio vim non necessariam impedit.
Loquens de potestate dissipationis, BSM200GB120DN2 potentiae Dissipationem (Pd) de 1.4 kW praebet, permittens eas applicationes facile tractandas. Validum Sarcina/Casum, notum Dimidium Bridge2, certam scelerisque administrationem et stabilitatem mechanicam efficit.
Temperatus operans extrema non provocatur ad hoc IGBT moduli. Haec versalitas diversis conditionibus operantibus aptam facit.
Installatio simplicior gratiarum ad Styli Cochleae adscendens, securam et opportunam integrationem in systemate tuo praebens. Singula sarcina X unitates continet, idoneam copiam ad propositum tuum necessarios praestandum.
In summa, Infineon BSM200GB120DN2 IGBT Module est summus perficientur, certa et solutio RoHS-obsequiosa. Cum suis singularibus specificationibus, ad postulata variarum potentiarum electronicarum applicationes pertinet, efficientis et optimized operae praestandi. Fiducia in notam peritia Infineonis technologiarum ad systemata tua augendas cum eorum summo-of-linea IGBT Pii Moduli.