#CM600YE2N-12F Mitsubishi CM600YE2N-12F Baru HVIGBT (Tinggi tegangan Bipolar Gerbang Terisolasi Transistor) Modul 1700V/600A/6200W, gambar CM600YE2N-12F, harga CM600YE2N-12F, pemasok #CM600YE2N-12F
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
CM600YE2N-12F HVIGBT (Tinggi tegangan Bipolar Gerbang Terisolasi Transistor) Modul
PERINGKAT MAKSIMUM (Tj = 25 ° C)
Kolektor-pemancar tegangan VCES VGE = 0V 1700V
Tegangan gerbang-emitorVCES VCE = 0V ± 20V
Arus kolektor IC 600A
Kolektor saat ini ICM 1200A
Disipasi kolektor maksimum TC = 25°C, IGBT bagian 6200W
PERINGKAT MAKSIMUM (Tj = 25 ° C)
Kolektor-pemancar tegangan VCES VGE = 0V 1700V
Tegangan gerbang-emitorVCES VCE = 0V ± 20V
Arus kolektor IC 600A
Kolektor saat ini ICM 1200A
Disipasi kolektor maksimum TC = 25°C, IGBT bagian 6200W
Suhu persimpangan Tj –40 ~ + 150 ° C
Suhu penyimpanan Tstg –40 ~ + 125 ° C
Tegangan isolasi Bagian yang dibebankan ke pelat dasar, rms, sinusoidal, AC 60Hz 1min.4000V
Nilai tipikal 1.5 kg
Nilai tipikal 1.5 kg
Modul HVIGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi Tegangan Tinggi) 1700V / 600A / 6200W
Shunlongwei Diperiksa Setiap CM600YE2N-12F Sebelum Dikirim, Semua CM600YE2N-12F dengan garansi 6 bulan.