#CM600YE2N-12F มิตซูบิชิ CM600YE2N-12F ใหม่ HVIGBT (สูง แรงดันไฟฟ้า ฉนวนเกทไบโพลาร์ ทรานซิสเตอร์) โมดูล 1700V/600A/6200W, CM600YE2N-12F รูปภาพ, CM600YE2N-12F ราคา, # CM600YE2N-12F ซัพพลายเออร์
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
อีเมล: sales@shunlongwei.com
-----------------------
CM600YE2N-12F HVIGBT (สูง แรงดันไฟฟ้า ฉนวนเกทไบโพลาร์ ทรานซิสเตอร์) โมดูล
อัตราสูงสุด (Tj = 25 ° C)
ตัวปล่อยสะสม แรงดันไฟฟ้า VCES VGE = 0 โวลต์ 1700 โวลต์
แรงดันไฟฟ้า Gate-emitterVCES VCE = 0V ± 20V
นักสะสมปัจจุบัน IC 600A
ICM 1200A ปัจจุบันของนักสะสม
การกระจายตัวสะสมสูงสุด TC = 25°C, IGBT ส่วน 6200W
อัตราสูงสุด (Tj = 25 ° C)
ตัวปล่อยสะสม แรงดันไฟฟ้า VCES VGE = 0 โวลต์ 1700 โวลต์
แรงดันไฟฟ้า Gate-emitterVCES VCE = 0V ± 20V
นักสะสมปัจจุบัน IC 600A
ICM 1200A ปัจจุบันของนักสะสม
การกระจายตัวสะสมสูงสุด TC = 25°C, IGBT ส่วน 6200W
อุณหภูมิทางแยก Tj –40 ~ + 150 ° C
อุณหภูมิในการจัดเก็บ Tstg –40 ~ + 125 ° C
แรงดันไฟฟ้าแยกชิ้นส่วนที่ชาร์จไปยังแผ่นฐาน, rms, sinusoidal, AC 60Hz 1 นาที 4000V
ค่าปกติ 1.5 กก
ค่าปกติ 1.5 กก
HVIGBT (ทรานซิสเตอร์สองขั้วประตูฉนวนแรงดันสูง) โมดูล 1700V / 600A / 6200W
Shunlongwei ตรวจสอบ CM600YE2N-12F ทุกเครื่องก่อนจัดส่ง CM600YE2N-12F ทั้งหมดพร้อมการรับประกัน 6 เดือน