Mitsubishi CM600YE2N-12F Dalam Stok

#CM600YE2N-12F Mitsubishi CM600YE2N-12F HV baharuIGBT (Tinggi voltan Bipolar Pintu Bertebat Transistor) Modul 1700V/600A/6200W, gambar CM600YE2N-12F, harga CM600YE2N-12F, pembekal #CM600YE2N-12F
-----------------------
E-mel: sales@shunlongwei.com

https://www.slw-ele.com/cm600ye2n-12f.html

-----------------------

CM600YE2N-12F HVIGBT (Tinggi voltan Bipolar Pintu Bertebat Transistor) Modul
PERINGKAT MAKSIMUM (Tj = 25 ° C)
Pemungut pemungut voltan VCES VGE = 0V 1700V
Voltan pemancar pintuVCES VCE = 0V ± 20V
Pengumpul semasa IC 600A
Pengumpul semasa ICM 1200A
Pelesapan pengumpul maksimum TC = 25°C, IGBT bahagian 6200W

Suhu persimpangan Tj –40 ~ + 150 ° C

Suhu simpanan Tstg –40 ~ + 125 ° C

Voltan pengasingan Bahagian yang dicas ke plat asas, rms, sinusoidal, AC 60Hz 1min.4000V
Nilai tipikal 1.5 kg

Modul HVIGBT (Transit Bipolar Gerbang Bertebat Voltan Tinggi) 1700V / 600A / 6200W

Shunlongwei Diperiksa Setiap CM600YE2N-12F Sebelum Dihantar, Semua CM600YE2N-12F dengan jaminan 6 bulan.