#SI4920DY-T1-E3 VISHAY SI4920DY-T1-E3 Trans Baru MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC NT/R, gambar SI4920DY-T1-E3, harga SI4920DY-T1-E3, pemasok #SI4920DY-T1-E3
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
-----------------------
Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/si4920dy-t1-e3.html
-----------------------
Nomor Bagian Pabrikan: SI4920DY-T1-E3
Kode Pbfree: Usang
Produsen Ihs: VISHAY SILICONIX
Kode Paket Bagian: SOT
Deskripsi Paket: GARIS KECIL, R-PDSO-G8
Jumlah Pin: 8
Kode ECCN: EAR99
Pabrikan: Vishay Siliconix
Peringkat Risiko: 5.37
Konfigurasi: TERPISAH, 2 ELEMEN DENGAN DIODE BUILT-IN
Kerusakan DS tegangan-Minimal: 30 V.
Drain Current-Max (Abs) (ID): 6.9 A
Tiriskan Arus-Maksimum (ID): 6.9 A
Drain-source On Resistance-Max: 0.025
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA Semikonduktor
Kode JESD-30: R-PDSO-G8
JESD-609 Kode: e3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban: 1
Jumlah Elemen: 2
Jumlah Terminal: 8
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Suhu Operasional-Max: 150 ° C
Paket Bahan Tubuh: PLASTIK / KOSONG
Bentuk Paket: RECTANGULAR
Gaya Paket: GARIS BESAR KECIL
Suhu Aliran Ulang Puncak (Cel): 260
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Pembuangan Daya-Max (Abs): 2 W.
Arus Tiriskan Berdenyut-Maks (IDM): 40 A
Status Kualifikasi: Tidak Terkualifikasi
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Pemasangan Permukaan: YA
Selesai Terminal: Matte Tin (Sn)
Bentuk Terminal: GULL WING
Posisi Terminal: DUAL
Waktu
trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC NT/R
Kode Pbfree: Usang
Produsen Ihs: VISHAY SILICONIX
Kode Paket Bagian: SOT
Deskripsi Paket: GARIS KECIL, R-PDSO-G8
Jumlah Pin: 8
Kode ECCN: EAR99
Pabrikan: Vishay Siliconix
Peringkat Risiko: 5.37
Konfigurasi: TERPISAH, 2 ELEMEN DENGAN DIODE BUILT-IN
Kerusakan DS tegangan-Minimal: 30 V.
Drain Current-Max (Abs) (ID): 6.9 A
Tiriskan Arus-Maksimum (ID): 6.9 A
Drain-source On Resistance-Max: 0.025
FET Teknologi: LOGAM-OKSIDA Semikonduktor
Kode JESD-30: R-PDSO-G8
JESD-609 Kode: e3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban: 1
Jumlah Elemen: 2
Jumlah Terminal: 8
Mode Operasi: MODE PENINGKATAN
Suhu Operasional-Max: 150 ° C
Paket Bahan Tubuh: PLASTIK / KOSONG
Bentuk Paket: RECTANGULAR
Gaya Paket: GARIS BESAR KECIL
Suhu Aliran Ulang Puncak (Cel): 260
Polaritas / Jenis Saluran: N-CHANNEL
Pembuangan Daya-Max (Abs): 2 W.
Arus Tiriskan Berdenyut-Maks (IDM): 40 A
Status Kualifikasi: Tidak Terkualifikasi
Subkategori: Kekuatan Tujuan Umum FET
Pemasangan Permukaan: YA
Selesai Terminal: Matte Tin (Sn)
Bentuk Terminal: GULL WING
Posisi Terminal: DUAL
Waktu
trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC NT/R