#SI4920DY-T1-E3 VISHEY SI4920DY-T1-E3 새로운 트랜스 이끼 N-CH 30V 6.9A 8핀 SOIC NT/R, SI4920DY-T1-E3 사진, SI4920DY-T1-E3 가격, #SI4920DY-T1-E3 공급업체
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이메일 : sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/si4920dy-t1-e3.html
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제조업체 부품 번호: SI4920DY-T1-E3
Pbfree 코드 : 폐기 됨
Ihs 제조사: VISHAY SILICONIX
부품 패키지 코드 : SOT
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Pin Count : 8
ECCN 코드 : EAR99
제조사: Vishay Siliconix
위험 순위 : 5.37
구성 : 별도의 2 개 요소 (내장 다이오드 포함)
DS 분석 전압-최소 : 30V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 6.9A
최대 드레인 전류 (ID) : 6.9A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.025 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PDSO-G8
JESD-609 코드 : e3
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 2
터미널 수 : 8
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 2W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 40A
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전원
표면 실장 : 예
단자 마감 : 무광 주석 (Sn)
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
트랜스 이끼 N-CH 30V 6.9A 8핀 SOIC NT/R
Pbfree 코드 : 폐기 됨
Ihs 제조사: VISHAY SILICONIX
부품 패키지 코드 : SOT
패키지 설명 : SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Pin Count : 8
ECCN 코드 : EAR99
제조사: Vishay Siliconix
위험 순위 : 5.37
구성 : 별도의 2 개 요소 (내장 다이오드 포함)
DS 분석 전압-최소 : 30V
최대 드레인 전류 (Abs) (ID) : 6.9A
최대 드레인 전류 (ID) : 6.9A
드레인 소스 On 저항 최대 : 0.025 Ω
FET Technology: 금속산화물 반도체
JESD-30 코드 : R-PDSO-G8
JESD-609 코드 : e3
수분 감도 수준 : 1
요소 수 : 2
터미널 수 : 8
작동 모드 : 향상 모드
작동 온도-최대 : 150 ° C
패키지 본체 재질 : 플라스틱 / 에폭시
패키지 모양 : 직사각형
패키지 스타일 : 작은 개요
최고 리플로 온도 (Cel) : 260
극성 / 채널 유형 : N-CHANNEL
최대 전력 손실 (Abs) : 2W
펄스 드레인 전류-최대 (IDM) : 40A
자격 상태 : 자격 없음
하위 범주 : FET 범용 전원
표면 실장 : 예
단자 마감 : 무광 주석 (Sn)
터미널 형태 : GULL WING
터미널 위치 : DUAL
Time
트랜스 이끼 N-CH 30V 6.9A 8핀 SOIC NT/R