VISHAY SI4920DY-T1-E3 em estoque

Atualização: 5 de novembro de 2023 Tags:ictecnologia

#SI4920DY-T1-E3 VISHAY SI4920DY-T1-E3 Novo Trans mosfet N-CH 30V 6.9A 8 pinos SOIC NT / R, imagens SI4920DY-T1-E3, preço SI4920DY-T1-E3, fornecedor # SI4920DY-T1-E3
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Email: sales@shunlongwei.com
https://www.slw-ele.com/si4920dy-t1-e3.html

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Número da peça do fabricante: SI4920DY-T1-E3
Código Pbfree: Obsoleto
Fabricante Ihs: VISHAY SILICONIX
Código do pacote da peça: SOT
Descrição do pacote: SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Contagem de pinos: 8
Código ECCN: EAR99
Fabricante: Vishay Siliconix
Classificação de risco: 5.37
Configuração: SEPARADO, 2 ELEMENTOS COM DIODO INCORPORADO
Discriminação DS Voltagem-Min: 30 V
Corrente de drenagem - Máx. (Abs) (ID): 6.9 A
Corrente de drenagem-Máx (ID): 6.9 A
Fonte de drenagem On Resistance-Max: 0.025 Ω
FET Equipar: ÓXIDO METÁLICO Semicondutores
Código JESD-30: R-PDSO-G8
Código JESD-609: e3
Nível de sensibilidade à umidade: 1
Número de elementos: 2
Número de terminais: 8
Modo de operação: MODO DE MELHORIA
Temperatura operacional máx .: 150 ° C
Material do corpo da embalagem: PLÁSTICO / EPÓXI
Forma da embalagem: RETANGULAR
Estilo do pacote: SMALL OUTLINE
Temperatura de pico de refluxo (Cel): 260
Polaridade / tipo de canal: N-CHANNEL
Dissipação de potência - Máx. (Abs): 2 W
Corrente de drenagem pulsada-Máx (IDM): 40 A
Status de qualificação: Não qualificado
Subcategoria: Poderes de uso geral do FET
Montagem em superfície: SIM
Acabamento Terminal: Estanho Mate (Sn)
Formulário Terminal: GULL WING
Posição Terminal: DUAL
Horário
trans mosfet N-CH 30V 6.9A 8 pinos SOIC NT/R