#SI4920DY-T1-E3 VISHAY SI4920DY-T1-E3 Nouveau Trans mosfet N-CH 30V 6.9A 8 broches SOIC NT/R, images SI4920DY-T1-E3, prix SI4920DY-T1-E3, fournisseur #SI4920DY-T1-E3
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Courriel: sales@shunlongwei.com
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https://www.slw-ele.com/si4920dy-t1-e3.html
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Numéro de pièce du fabricant : SI4920DY-T1-E3
Code Pbfree : Obsolète
Ihs Fabricant : VISHAY SILICONIX
Code de l'emballage de la pièce : SOT
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Vishay Siliconix
Classement de risque: 5.37
Configuration: SÉPARÉ, 2 ÉLÉMENTS AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 6.9 A
Courant de drain-Max (ID): 6.9 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.025 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30: R-PDSO-G8
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 8
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 2 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 40 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Pouvoirs à usage général du FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: étain mat (Sn)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
trans mosfet N-CH 30 V 6.9 A SOIC NT/R 8 broches
Code Pbfree : Obsolète
Ihs Fabricant : VISHAY SILICONIX
Code de l'emballage de la pièce : SOT
Description de l'emballage : PETIT CONTOUR, R-PDSO-G8
Nombre de broches: 8
Code ECCN: EAR99
Fabricant : Vishay Siliconix
Classement de risque: 5.37
Configuration: SÉPARÉ, 2 ÉLÉMENTS AVEC DIODE INTÉGRÉE
Répartition DS Tension-Min : 30 V
Courant de vidange-Max (Abs) (ID): 6.9 A
Courant de drain-Max (ID): 6.9 A
Drain-source Sur Résistance-Max: 0.025 Ω
FET Technologie: OXYDE DE MÉTAL Semi-conducteurs
Code JESD-30: R-PDSO-G8
Code JESD-609: e3
Niveau de sensibilité à l'humidité: 1
Nombre d'éléments: 2
Nombre de terminaux: 8
Mode de fonctionnement : MODE D'AMÉLIORATION
Température de fonctionnement-Max: 150 ° C
Matériau du corps de l'emballage: PLASTIQUE / ÉPOXY
Forme de l'emballage: RECTANGULAIRE
Style de paquet: PETIT PLAN
Température de reflux de pointe (Cel): 260
Polarité / Type de canal: N-CHANNEL
Dissipation de puissance-Max (Abs): 2 W
Courant de drain pulsé-Max (IDM): 40 A
Statut de qualification: non qualifié
Sous-catégorie : Pouvoirs à usage général du FET
Montage en surface: OUI
Finition du terminal: étain mat (Sn)
Forme terminale: GULL WING
Position terminale: DUAL
Temps
trans mosfet N-CH 30 V 6.9 A SOIC NT/R 8 broches