Nelle applicazioni ovunque mosfet vengono commutati a bassa frequenza, i progetti di prodotti ad alta potenza devono soddisfare numerose caratteristiche chiave: devono ridurre le perdite di conduzione, fornire un comportamento termico ottimale e facilitare sistemi più compatti e leggeri, il tutto mantenendo la massima qualità a basso costo. Per soddisfare questi requisiti, Infineon Technologies AG ha migliorato la famiglia CoolMOS S600 da 7 V con due nuovi dispositivi ottimizzati per applicazioni di commutazione statica: CoolMOS S7 10mOhm di livello industriale e CoolMOS S7A di livello automobilistico.
CoolMOS S7 10mOhm ha un'esclusiva bassa resistenza on (RDS (on)) per MOSFET a super giunzione da 600 V, che lo rende eccellente per le applicazioni in cui le perdite di conduzione minime sono fondamentali, come gli SSR standard. Al contrario, il CoolMOS S7A di livello automobilistico soddisfa le esigenze di prestazioni del sistema stabilite dagli interruttori automatici a stato solido e dalla messa in parallelo / sostituzione di diodi per progetti ad alta potenza / prestazioni nelle applicazioni automobilistiche, tra cui High voltaggio (HV) eFUSE, interruttore di scollegamento della batteria eDisconnect HV e caricabatterie a bordo.
I chip sono dotati del più basso RDS (attivo) sul mercato e del miglior RDS (attivo) x A x costo. Inoltre, sono stati integrati in un innovativo pacchetto QDPAK SMD raffreddato sul lato superiore (TSC), che offre un eccellente comportamento termico, rendendolo un'opzione più piccola per i dispositivi THD come TO-247. Inoltre, passando da THD a un dispositivo a montaggio superficiale con QDPAK, è possibile ottenere una riduzione dell'altezza del 94%, consentendo soluzioni a densità di potenza più elevata. Con le basse perdite di conduzione dei dispositivi, i progettisti possono limitare le dimensioni dei dissipatori di calore fino all'80% ed estendere i valori di corrente e tensione senza alterare il fattore di forma.