В приложениях везде МОП-транзисторы переключаются на низкой частоте, конструкции высокомощных продуктов должны удовлетворять многочисленным ключевым характеристикам: они должны снижать потери проводимости, обеспечивать оптимальные тепловые характеристики и способствовать созданию более компактных и легких систем - и все это при сохранении высочайшего качества при невысокой стоимости. Чтобы удовлетворить эти требования, Infineon Technologies AG расширила семейство 600 В CoolMOS S7 двумя новыми оптимизированными устройствами для статических коммутационных приложений: CoolMOS S7 10 мОм промышленного уровня и CoolMOS S7A автомобильного уровня.
CoolMOS S7 10 мОм имеет уникальное низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS (on)) для полевых МОП-транзисторов с суперпереходом на 600 В, что делает его идеальным для приложений, где критичны минимальные потери проводимости, таких как стандартные SSR. Напротив, CoolMOS S7A автомобильного уровня отвечает требованиям к производительности системы, предъявляемым твердотельными автоматическими выключателями и параллельной заменой диодов для конструкций с высокой мощностью / производительностью в автомобильных приложениях, включая High напряжение (HV) eFUSE, выключатель аккумуляторной батареи HV eDisconnect и встроенные зарядные устройства.
Чипы имеют самый низкий RDS (on) на рынке и лучшую в своем классе стоимость RDS (on) x A x. Кроме того, они были интегрированы в инновационный SMD-корпус QDPAK с верхним охлаждением (TSC), который обеспечивает отличные тепловые характеристики, что делает его меньшим вариантом по сравнению с устройствами THD, такими как TO-247. Кроме того, при переходе от THD к устройству поверхностного монтажа с QDPAK может быть реализовано уменьшение высоты на 94%, что позволяет получить решения с более высокой плотностью мощности. Благодаря низким потерям проводимости в устройствах разработчики могут ограничить размер радиаторов до 80 процентов и увеличить номинальные токи и напряжения без изменения форм-фактора.