Dans les applications où que vous soyez mosfet sont commutés à basse fréquence, les conceptions de produits haute puissance doivent satisfaire à de nombreuses caractéristiques clés: elles doivent réduire les pertes de conduction, offrir un comportement thermique optimal et faciliter des systèmes plus compacts et plus légers - tout en garantissant la plus haute qualité à un faible coût. Pour répondre à ces exigences, Infineon Technologies AG a amélioré la famille 600V CoolMOS S7 avec deux nouveaux appareils optimisés pour les applications de commutation statique: le CoolMOS S7 10mOhm de qualité industrielle et le CoolMOS S7A de qualité automobile.
Le CoolMOS S7 10mOhm a une faible résistance à l'état passant unique (RDS (on)) pour les MOSFET à super jonction 600V, ce qui le rend excellent pour les applications où des pertes de conduction minimales sont critiques, telles que les SSR standard. En revanche, le CoolMOS S7A de qualité automobile répond aux exigences de performance du système définies par les disjoncteurs à semi-conducteurs et la mise en parallèle / le remplacement de diodes pour les conceptions haute puissance / performance dans les applications automobiles, y compris le High Tension (HV) eFUSE, interrupteur de déconnexion de batterie HV eDisconnect et chargeurs embarqués.
Les puces sont livrées avec le RDS (on) le plus bas du marché et le meilleur coût RDS (on) x A x de sa catégorie. En outre, ils ont été intégrés dans un boîtier innovant QDPAK SMD refroidi par le haut (TSC), qui offre un excellent comportement thermique, ce qui en fait une option plus petite pour les appareils THD tels que TO-247. De plus, en passant du THD à un appareil en saillie avec QDPAK, une réduction de 94% de la hauteur peut être réalisée, permettant des solutions de densité de puissance plus élevée. Grâce aux faibles pertes de conduction des appareils, les concepteurs peuvent limiter la taille des dissipateurs de chaleur jusqu'à 80% et étendre les valeurs nominales de courant et de tension sans modifier le facteur de forme.