Her yerde uygulamalarda mosfetler düşük frekansta anahtarlandığında, yüksek güçlü ürün tasarımları çok sayıda temel özelliği karşılamalıdır: İletim kayıplarını azaltmalı, en uygun termal davranışı sağlamalı ve daha kompakt ve daha hafif sistemleri kolaylaştırmalı; tüm bunları yaparken düşük maliyetle en yüksek kaliteyi sağlamalıdır. Bu gereksinimleri karşılamak için Infineon Technologies AG, 600V CoolMOS S7 ailesini statik anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiş iki yeni cihazla geliştirdi: endüstriyel sınıf CoolMOS S7 10mOhm ve otomotiv sınıfı CoolMOS S7A.
CoolMOS S7 10mOhm, 600V süper bağlantı MOSFET'leri için benzersiz bir düşük açık dirence (RDS(on)) sahiptir; bu da onu, kullanıma hazır SSR gibi minimum iletim kayıplarının kritik olduğu uygulamalar için mükemmel kılar. Bunun aksine, otomotiv sınıfı CoolMOS S7A, yüksek güç/performans tasarımları için katı hal devre kesiciler ve diyot paralelleme/değiştirme tarafından belirlenen sistem performansı taleplerini karşılar. Voltaj (HV) eFUSE, HV eDisconnect akü bağlantı kesme anahtarı ve yerleşik şarj cihazları.
Çipler piyasadaki en düşük RDS(açık) ve sınıfının en iyisi RDS(açık) x A x maliyetiyle birlikte gelir. Ayrıca, mükemmel termal davranış sunan yenilikçi üstten soğutmalı (TSC) QDPAK SMD paketine entegre edilmişlerdir ve bu da onu TO-247 gibi THD cihazlarına göre daha küçük bir seçenek haline getirir. Ayrıca THD'den QDPAK'lı yüzeye monte cihaza geçişle yükseklikte %94'lük bir azalma gerçekleştirilebilir ve bu da daha yüksek güç yoğunluğu çözümlerine olanak tanır. Cihazların düşük iletim kayıpları sayesinde tasarımcılar, ısı emicilerin boyutunu yüzde 80'e kadar sınırlayabilir ve form faktörünü değiştirmeden akım ve voltaj değerlerini genişletebilir.