Il FUJI IGBT modulo 1MBI600V-120 è un transistor bipolare a gate isolato ad alte prestazioni (IGBT), progettato e prodotto da FUJI Electric.
Questo modulo (1MBI600V-120) ha una tensione nominale di 600 V e una corrente massima del collettore di 120 A, che lo rende adatto per un'ampia gamma di applicazioni ad alta potenza, tra cui controllo motore, alimentatori e sistemi di energia rinnovabile.
Il modulo 1MBI600V-120 è dotato di funzioni di protezione integrate come protezione da cortocircuito e protezione da sovratemperatura.
Caratteristiche principali:
- Commutazione ad alta velocità
- Azionamento di tensione
- Struttura del modulo a bassa induttanza
applicazioni:
- Inverter per azionamento a motore
- Amplificatore servoazionato AC e DC
- Gruppo di continuità (UPS)
- Macchine industriali, come saldatrici
Valori massimi e caratteristiche (valori massimi assoluti a Tc=25°C se non diversamente specificato):
- Tensione collettore-emettitore (VCES): 1200V
- Tensione Gate-Emitter (VGES): ±20V
- Corrente di collettore (Ic) impulso 1 ms: 600 A
- Corrente di collettore (Ic) impulso 1 ms: 1200 A
- Potenza dissipata del collettore (Pc) per 1 dispositivo: 3000 W
- Temperatura di giunzione (Tj): 175°C
- Temperatura di funzionamento della giunzione (in condizioni di commutazione) (Tjop): 150°C
- Temperatura cassa (Tc): 125°C
- Temperatura di stoccaggio (Tstg): -40~+125°C
- Tensione di isolamento tra terminale e base in rame (*1): Viso AC: 1 min. 2500 VCA
- Coppia di viti per il montaggio (*2): M5 o M6, 6.0 N.m