Der FUJI IGBT Modulen 1MBI600V-120 ist ein Hochleistungs-Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT) Modul, entwickelt und hergestellt von FUJI Electric.
Dieses Modul (1MBI600V-120) hat eine Nennspannung von 600 V und einen maximalen Kollektorstrom von 120 A und eignet sich daher für eine Vielzahl von Hochleistungsanwendungen, einschließlich Motorsteuerung, Stromversorgung und Systemen für erneuerbare Energien.
Das Modul 1MBI600V-120 verfügt über integrierte Schutzfunktionen wie Kurzschlussschutz und Übertemperaturschutz.
Hauptmerkmale
- Hochgeschwindigkeitsumschaltung
- Spannungsantrieb
- Modulstruktur mit geringer Induktivität
Sondermaschinen:
- Wechselrichter für Motorantrieb
- AC- und DC-Servoverstärker
- Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)
- Industriemaschinen wie Schweißmaschinen
Maximale Nennwerte und Eigenschaften (absolute maximale Nennwerte bei Tc=25 °C, sofern nicht anders angegeben):
- Kollektor-Emitter-Spannung (VCES): 1200 V
- Gate-Emitter-Spannung (VGES): ±20 V
- Kollektorstrom (Ic) Impuls 1 ms: 600 A
- Kollektorstrom (Ic) Impuls 1 ms: 1200 A
- Kollektorverlustleistung (Pc) für 1 Gerät: 3000 W
- Sperrschichttemperatur (Tj): 175 °C
- Betriebssperrschichttemperatur (unter Schaltbedingungen) (Tjop): 150 °C
- Gehäusetemperatur (Tc): 125 °C
- Lagertemperatur (Tstg): -40~+125°C
- Isolationsspannung zwischen Klemme und Kupferbasis (*1): Viso AC: 1 Min. 2500 VAC
- Schraubendrehmoment für die Montage (*2): M5 oder M6, 6.0 Nm