O FUJI IGBT módulo 1MBI600V-120 é um transistor bipolar de porta isolada de alto desempenho (IGBT), projetado e fabricado pela FUJI Electric.
Este módulo (1MBI600V-120) possui uma tensão nominal de 600 V e uma corrente máxima de coletor de 120 A, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações de alta potência, incluindo controle de motores, fontes de alimentação e sistemas de energia renovável.
O módulo 1MBI600V-120 vem com recursos de proteção integrados, como proteção contra curto-circuito e proteção contra superaquecimento.
Características chaves:
- Comutação de alta velocidade
- Unidade de tensão
- Estrutura do módulo de baixa indutância
Aplicações:
- Inversor para Motor Drive
- Amplificador de servo acionamento AC e DC
- Fonte de Alimentação Ininterrupta (UPS)
- Máquinas industriais, como máquinas de solda
Classificações e características máximas (Classificações máximas absolutas em Tc=25°C, a menos que especificado de outra forma):
- Tensão Coletor-Emissor (VCES): 1200V
- Tensão Gate-Emissor (VGES): ±20V
- Pulso de corrente do coletor (Ic) 1 ms: 600 A
- Pulso de corrente do coletor (Ic) 1 ms: 1200 A
- Dissipação de energia do coletor (Pc) para 1 dispositivo: 3000 W
- Temperatura da junção (Tj): 175°C
- Temperatura operacional da junção (sob condições de comutação) (Tjop): 150°C
- Temperatura da caixa (Tc): 125°C
- Temperatura de armazenamento (Tstg): -40~+125°C
- Tensão de isolamento entre terminal e base de cobre (*1): Viso AC: 1 min. 2500 VCA
- Torque do parafuso para montagem (*2): M5 ou M6, 6.0 N.m